| 技术指标： | 极限真空度： ≤6.7×10 －5 Pa 真空室： Φ350×300沉积温度： 200～450℃ 温度精度： ±2℃（φ200内） 生长速度：氮化硅 50～150埃/分钟；氧化硅100～300埃/分钟； 装片能力： 2”～4”，1～8片 膜厚均匀度： ≤±3％工艺压强范围： 13.3～266Pa RF电源：13.56MHz，500W 总功率： 8Kw 占地面积：主机 700x800、气体控制柜 1300x600、电控柜 700x800 总重量： 500Kg |
| 应用领域： | 用于沉积氧化硅、氮化硅、多晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜，广泛应用于 半导体集成电路工艺中的多层布线、表面钝化等工艺。尤其适用于高性能薄膜 研究及新材料科学研究工作。 |
| 产品说明： | 反应室 ：各种薄膜的沉积 真空获得及测量系统：提供材料 沉积 工艺条件 电器控制系统：精密控制温度、转速 气路控制系统 此设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便等优点，配备高精度控制基片加 热台、自动控温、具有无污染、放气量小和温度均匀等特点。 |